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CN18BR

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 18A, 100V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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CN18BR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 18A, 100V V(RRM), Silicon,

CN18BR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-CEDB-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流18 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1

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CN18A - CN18M
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 18 Amperes
CELL RECTIFIER DIODES
C18A
6.20
5.47
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Chip form
Pb / RoHS Free
ANODE
1.43
CATHODE
0.38
0.51
Dimensions in millimeter
MECHANICAL DATA :
* Case : C18A
* Terminals : Solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Cathode to bigger size slug, For
Anode to bigger size slug use "R" suffix.
* Mounting position : Any
* Weight : 0.29 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current Tc = 75°C
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 18 Amps.
Maximum DC Reverse Current
at rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
CN18A CN18B CN18D CN18G CN18J CN18K CN18M
UNIT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
C
J
R
θ
JC
T
J
T
STG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
18
400
1.1
5.0
1.0
300
10
- 65 to + 175
- 65 to + 175
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
mA
pF
°C/W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Case
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Note
: (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse Voltage of 4.0 V
DC
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 24, 2005
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