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CY7C1306BV18-167BZXI

产品描述QDR SRAM, 512KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
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文件大小845KB,共20页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C1306BV18-167BZXI概述

QDR SRAM, 512KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

CY7C1306BV18-167BZXI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)167 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.24 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度13 mm
Base Number Matches1

CY7C1306BV18-167BZXI相似产品对比

CY7C1306BV18-167BZXI CY7C1303BV18-167BZXC CY7C1306BV18-167BZI CY7C1303BV18-167BZI CY7C1306BV18-167BZXC CY7C1303BV18-167BZXI
描述 QDR SRAM, 512KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 QDR SRAM, 1MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 QDR SRAM, 512KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 QDR SRAM, 1MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 QDR SRAM, 512KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 QDR SRAM, 1MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40
针数 165 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 2.5 ns 2.5 ns 2.5 ns 2.5 ns 2.5 ns 2.5 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 167 MHz 167 MHz 167 MHz 167 MHz 167 MHz 167 MHz
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e1 e1 e0 e0 e1 e1
长度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 36 18 36 18 36 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165 165
字数 524288 words 1048576 words 524288 words 1048576 words 524288 words 1048576 words
字数代码 512000 1000000 512000 1000000 512000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 512KX36 1MX18 512KX36 1MX18 512KX36 1MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 220 220 260 260
电源 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大待机电流 0.24 A 0.24 A 0.24 A 0.24 A 0.24 A 0.24 A
最小待机电流 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
最大压摆率 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 20 20
宽度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
厂商名称 - - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
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