ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | TQFP-100 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 2.6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 250 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.1 A |
| 最小待机电流 | 2.38 V |
| 最大压摆率 | 0.41 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| CY7C1460AV25-250AC | CY7C1464AV25-225BGC | CY7C1462AV25-200AC | CY7C1462AV25-167AC | CY7C1460AV25-225AC | CY7C1460AV25-225BZC | CY7C1462AV25-225BZC | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100 | ZBT SRAM, 512KX72, CMOS, PBGA209, | ZBT SRAM, 2MX18, 3ns, CMOS, PQFP100 | ZBT SRAM, 2MX18, 3.4ns, CMOS, PQFP100 | ZBT SRAM, 1MX36, CMOS, PQFP100, | ZBT SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA165, | ZBT SRAM, 2MX18, CMOS, PBGA165, |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | TQFP-100 | FBGA-209 | TQFP-100 | TQFP-100 | TQFP-100 | FBGA-165 | FBGA-165 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compli | compli |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 250 MHz | 225 MHz | 200 MHz | 167 MHz | 225 MHz | 225 MHz | 225 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B209 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 20 mm | 22 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 17 mm | 17 mm |
| 内存密度 | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bi | 37748736 bi |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 72 | 18 | 18 | 36 | 36 | 18 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 100 | 209 | 100 | 100 | 100 | 165 | 165 |
| 字数 | 1048576 words | 524288 words | 2097152 words | 2097152 words | 1048576 words | 1048576 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 1000000 | 512000 | 2000000 | 2000000 | 1000000 | 1000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX36 | 512KX72 | 2MX18 | 2MX18 | 1MX36 | 1MX36 | 2MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP | BGA | LQFP | LQFP | LQFP | LBGA | LBGA |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 | BGA209,11X19,40 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 240 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | 1.96 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.4 mm | 1.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
| 最小待机电流 | 2.38 V | 2.38 V | 2.38 V | 2.38 V | 2.38 V | 2.38 V | 2.38 V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | BALL | GULL WING | GULL WING | GULL WING | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.65 mm | 1 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | QUAD | BOTTOM | QUAD | QUAD | QUAD | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 15 mm | 15 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - | - | - |
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