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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1049DV33-12VXI
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CY7C1049DV33-12VXI

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36
产品类别存储    存储   
文件大小204KB，共9页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准  
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CY7C1049DV33-12VXI概述

Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36

CY7C1049DV33-12VXI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ36,.44
针数36
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J36
JESD-609代码e4
长度23.495 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ36,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.683 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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PRELIMINARY
CY7C1049DV33
4-Mbit (512K x 8) Static RAM
Features
• Pin- and function-compatible with CY7C1049CV33
• High speed
— t
AA
= 8 ns
• Low active power
— I
CC
= 90 mA @ 8 ns (Commercial)
— I
CC
= 100 mA @ 8 ns (Industrial)
• Low CMOS standby power
— I
SB2
= 10 mA
• 2.0V data retention
• Automatic power-down when deselected
• TTL-compatible inputs and outputs
• Easy memory expansion with CE and OE features
• Available in Lead-Free 36-lead (400-mil) Molded SOJ
V36 and 44-pin TSOP II ZS44 packages
Functional Description
[1]
The CY7C1049DV33 is a high-performance CMOS Static
RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an
active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers.
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O
pins (I/O
0
through I/O
7
) is then written into the location
specified on the address pins (A
0
through A
18
).
Reading from the device is accomplished by taking Chip
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of
the memory location specified by the address pins will appear
on the I/O pins.
The eight input/output pins (I/O
0
through I/O
7
) are placed in a
high-impedance state when the device is deselected (CE
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a Write
operation (CE LOW, and WE LOW).
The CY7C1049DV33 is available in standard 400-mil-wide
36-pin SOJ package and 44-pin TSOP II package with center
power and ground (revolutionary) pinout.
Logic Block Diagram
Pin Configuration
SOJ
Top View
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I/O
0
I/O
1
V
CC
GND
I/O
2
I/O3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I/O
7
I/O
6
GND
V
CC
I/O
5
I/O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
TSOP II
Top View
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I/O
0
I/O
1
V
CC
V
SS
I/O
2
I/O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
I/O
0
INPUT
BUFFER
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I/O
1
ROW DECODER
SENSE AMPS
I/O
2
I/O
3
I/O
4
I/O
5
512K x 8
CE
WE
OE
COLUMN
DECODER
POWER
DOWN
I/O
6
I/O
7
Selection Guide
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
-8
8
90
100
10
-10
10
80
90
10
-12
12
75
85
10
Unit
ns
mA
mA
Commercial
Industrial
Maximum CMOS Standby Current Commercial/Industrial
Note:
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.
Cypress Semiconductor Corporation
Document #: 38-05475 Rev. *B
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
NC
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I/O
7
I/O
6
V
SS
V
CC
I/O
5
I/O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
•
198 Champion Court
•
San Jose, CA 95134-1709
• 408-943-2600
Revised July 29 2005

CY7C1049DV33-12VXI相似产品对比

CY7C1049DV33-12VXI CY7C1049DV33-8ZSXI CY7C1049DV33-8ZSXC CY7C1049DV33-10VXC CY7C1049DV33-12VXC CY7C1049DV33-8VXC CY7C1049DV33-12ZSXI CY7C1049DV33-10ZSXC CY7C1049DV33-12ZSXC CY7C1049DV33-8VXI
描述 Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 Standard SRAM, 512KX8, 8ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 Standard SRAM, 512KX8, 8ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 Standard SRAM, 512KX8, 8ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 Standard SRAM, 512KX8, 8ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ SOJ TSOP2 TSOP2 TSOP2 SOJ
包装说明 SOJ, SOJ36,.44 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32 SOJ, SOJ36,.44 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 SOJ, SOJ36,.44 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36
针数 36 44 44 36 36 36 44 44 44 36
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 8 ns 8 ns 10 ns 12 ns 8 ns 12 ns 10 ns 12 ns 8 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J36 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-J36
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4
长度 23.495 mm 18.415 mm 18.415 mm 23.495 mm 23.495 mm 23.495 mm 18.415 mm 18.415 mm 18.415 mm 23.495 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 36 44 44 36 36 36 44 44 44 36
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ SOJ TSOP2 TSOP2 TSOP2 SOJ
封装等效代码 SOJ36,.44 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 SOJ36,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.683 mm 1.194 mm 1.194 mm 3.683 mm 3.683 mm 3.683 mm 1.194 mm 1.194 mm 1.194 mm 3.683 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.085 mA 0.1 mA 0.09 mA 0.08 mA 0.075 mA 0.09 mA 0.085 mA 0.08 mA 0.075 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 J BEND GULL WING GULL WING J BEND J BEND J BEND GULL WING GULL WING GULL WING J BEND
端子节距 1.27 mm 0.8 mm 0.8 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 20 20 20 40 40 20 40 20 40
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
厂商名称 - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)

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