CS223-4NBKTIN/LEAD,CS223-4NBKTIN/LEAD pdf中文资料,CS223-4NBKTIN/LEAD引脚图,CS223-4NBKTIN/LEAD电路-Datasheet-电子工程世界

CS223-4NBKTIN/LEAD: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM); 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小366KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CS223-4NBKTIN/LEAD概述

Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)

	CS223-4NBKTIN/LEAD	CS223-4MTRTIN/LEAD	CS223-4MTR13TIN/LEAD	CS223-4MBKTIN/LEAD	CS223-4NTR13TIN/LEAD	CS223-4MLEADFREE	CS223-4NLEADFREE
描述	Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-4	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-4
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant
最大直流栅极触发电流	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
断态重复峰值电压	800 V	600 V	600 V	600 V	800 V	600 V	800 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
关态电压最小值的临界上升速率	10 V/us	10 V/us	10 V/us	10 V/us	10 V/us	-	-
最大直流栅极触发电压	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	-	-
最大维持电流	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA	-	-
最大漏电流	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	-	-
通态非重复峰值电流	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

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