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CBR2-080LEADFREE

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小573KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CBR2-080LEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon,

CBR2-080LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明O-PBCY-W4
Reach Compliance Codecompliant
最小击穿电压800 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PBCY-W4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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CBR1 SERIES
CBR2 SERIES
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1 and CBR2
series devices are silicon, single phase, full wave bridge
rectifiers designed for general purpose applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE A
MAXIMUM RATINGS:
(TA=50°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (CBR1)
Average Forward Current (CBR2)
Peak Forward Surge Current (CBR1)
Peak Forward Surge Current (CBR2)
Operating and Storage
Junction Temperature
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
VF (CBR1)
VF (CBR2)
CBR1
CBR2
SYMBOL -010
VRRM
100
VR
100
VR(RMS)
IO
IO
IFSM
IFSM
TJ, Tstg
70
CBR1
CBR2
-020
200
200
140
CBR1
CBR2
-040
400
400
280
1.5
2.0
50
60
CBR1
CBR2
-060
600
600
420
CBR1
CBR2
-080
800
800
560
CBR1
CBR2
-100 UNITS
1000
V
1000
700
V
V
A
A
A
A
°C
-65 to +150
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VR=Rated VRRM
10
IF=1.0A
1.0
IF=2.0A
1.1
UNITS
μA
V
V
R1 (31-July 2013)

 
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