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CZT5551HCTRLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小528KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CZT5551HCTRLEADFREE概述

Transistor

CZT5551HCTRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)80
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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CZT5551HC
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
180
160
6.0
1.0
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
A
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
VCB=120V
VCB=120V, TA=100°C
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC=10mA,
IC=50mA,
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IB=1.0mA
IB=5.0mA
80
80
30
10
100
180
160
6.0
MAX
50
50
50
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
0.15
0.20
1.00
1.00
250
V
V
V
V
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
MHz
15
pF
R1 (1-March 2010)

CZT5551HCTRLEADFREE相似产品对比

CZT5551HCTRLEADFREE CZT5551HCBK CZT5551HCBKLEADFREE CZT5551HCLEADFREE CZT5551HCTR
描述 Transistor Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4 Transistor Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4
包装说明 , PLASTIC PACKAGE-4 , PLASTIC PACKAGE-4 PLASTIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code compliant compliant compliant not_compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 Single SINGLE Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 80 30 80 30 30
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 -
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W - 2 W
Base Number Matches 1 1 1 1 -
厂商名称 - Central Semiconductor Central Semiconductor - Central Semiconductor
针数 - 4 - 4 4
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99
外壳连接 - COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR
集电极-发射极最大电压 - 160 V - 160 V 160 V
JESD-30 代码 - R-PDSO-G4 - R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 - e0 - e3 e0
元件数量 - 1 - 1 1
端子数量 - 4 - 4 4
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子面层 - TIN LEAD - MATTE TIN (315) TIN LEAD
端子形式 - GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL - DUAL DUAL
晶体管应用 - AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON
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