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CYT5551HCDTR13

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小104KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CYT5551HCDTR13概述

Transistor

CYT5551HCDTR13规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
最小直流电流增益 (hFE)30
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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CYT5551HCD
SURFACE MOUNT
DUAL, ISOLATED NPN HIGH CURRENT
SILICON TRANSISTORS
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CYT5551HCD
type consists of two (2) isolated NPN high current
silicon transistors packaged in an epoxy molded
SOT-228 surface mount case. Manufactured by the
epitaxial planar process, this SUPERmini™ device
is ideal for high current applications.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
SOT-228 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
62.5
°C
°C/W
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
180
160
6.0
1.0
2.0
UNITS
V
V
V
A
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
VCB=120V
VCB=120V, TA=100ºC
VBE=4.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC=10mA,
IC=50mA,
IC=10mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IB=1.0mA
80
80
30
10
100
15
180
160
6.0
0.15
0.20
1.00
1.00
250
50
50
50
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
MHz
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