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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CTLDM8002A-M621HBK
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CTLDM8002A-M621HBK

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 1.5 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM621H, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小421KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CTLDM8002A-M621HBK概述

Power Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 1.5 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM621H, 6 PIN

CTLDM8002A-M621HBK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数6
制造商包装代码CASE TLM621H
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW THRESHOLD, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.28 A
最大漏极电流 (ID)0.28 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)1.5 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CTLDM8002A-M621H
SURFACE MOUNT
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM8002A-
M621H is a very low profile (0.4mm) P-Channel
enhancement-mode MOSFET in a small, thermal
efficient, 1.5mm x 2mm TLM™ package.
MARKING CODE: CNC
FEATURES:
TLM621H CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
•
•
•
•
•
•
Low rDS(on)
Low VDS(on)
Low Threshold Voltage
Fast Switching
Logic Level Compatible
Small, Very Low Profile, TLM™
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
W
°C
°C/W
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
50
50
20
280
280
1.5
1.5
1.6
-65 to +150
75
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IGSSF, IGSSR
VGS=20V, VDS=0
IDSS
IDSS
ID(ON)
BVDSS
VGS(th)
VDS(ON)
VDS(ON)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
VDS=50V, VGS=0
VDS=50V, VGS=0, TJ=125°C
VGS=10V, VDS=10V
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=0, IS=115mA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=10V, ID=500mA, TJ=125°C
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=5.0V, ID=50mA, TJ=125°C
MAX
100
1.0
500
UNITS
nA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
500
50
1.0
2.5
1.5
0.15
1.3
2.5
4.0
3.0
5.0
R3 (17-February 2010)

CTLDM8002A-M621HBK相似产品对比

CTLDM8002A-M621HBK CTLDM8002A-M621HBKLEADFREE CTLDM8002A-M621HTR CTLDM8002A-M621HTRLEADFREE
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 1.5 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM621H, 6 PIN Transistor Power Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 1.5 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM621H, 6 PIN Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.28 A 0.28 A 0.28 A 0.28 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W 1.6 W 1.6 W 1.6 W
表面贴装 YES YES YES YES
最大漏极电流 (ID) 0.28 A - 0.28 A 0.28 A

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