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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLDM8002AJLEADFREE
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CMLDM8002AJLEADFREE

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00028A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICO MINI-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小477KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMLDM8002AJLEADFREE概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00028A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICO MINI-6

CMLDM8002AJLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.00028 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)7 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CMLDM8002A
CMLDM8002AG*
CMLDM8002AJ
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFETS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are
dual chip P-Channel enhancement-mode MOSFETs,
manufactured by the P-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. The CMLDM8002A utilizes the USA
pinout configuration, while the CMLDM8002AJ, utilizing
the Japanese pinout configuration, is available as a
special order. These special dual dransistor devices
offer low rDS(on) and low VDS(on).
MARKING CODES: CMLDM8002A:
C08
CMLDM8002AG*: CG8
CMLDM8002AJ: CJ8
FEATURES:
•
•
•
•
Dual Chip Device
Low rDS(on)
Low VDS(on)
Low Threshold Voltage
• Fast Switching
• Logic Level Compatible
• Small SOT-563 package
SOT-563 CASE
*
Device is
Halogen Free
by design
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
50
50
20
280
280
1.5
1.5
350
300
150
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
mW
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IGSSF, IGSSR
VGS=20V, VDS=0
100
IDSS
VDS=50V, VGS=0
1.0
IDSS
ID(ON)
BVDSS
VGS(th)
Notes:
UNITS
nA
μA
μA
mA
V
V
VDS=50V, VGS=0, TJ=125°C
VGS=10V, VDS=10V
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
500
500
50
1.0
4.0mm
2
2.5
(1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
R5 (28-January 2014)

CMLDM8002AJLEADFREE相似产品对比

CMLDM8002AJLEADFREE CMLDM8002ALEADFREE
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00028A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICO MINI-6 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00028A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICO MINI-6
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.00028 A 0.00028 A
最大漏源导通电阻 2.5 Ω 2.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 7 pF 7 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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