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CMKSH-3TTR

产品描述Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小493KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMKSH-3TTR概述

Diode,

CMKSH-3TTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大正向电压 (VF)0.33 V
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散0.35 W
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流100 µA
最大反向恢复时间0.005 µs
反向测试电压25 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1

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CMKSH-3T
SURFACE MOUNT
TRIPLE ISOLATED SILICON
SCHOTTKY DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKSH-3T
contains three (3) Isolated Silicon Schottky Diodes,
epoxy molded in a SOT-363 surface mount package.
This ULTRAmini™ device has been designed for
switching applications requiring a low forward
voltage drop.
MARKING CODE: KHT
SOT-363 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=10ms
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
30
100
350
750
350
-65 to +150
357
UNITS
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
VR=25V
VR=25V, TA=100°C
IR=100μA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
VR=1.0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
90
25
30
0.29
0.40
0.74
7.0
5.0
0.33
0.45
1.00
500
100
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
R4 (13-January 2010)

CMKSH-3TTR相似产品对比

CMKSH-3TTR CMKSH-3TLEADFREE CMKSH-3TTRLEADFREE
描述 Diode, Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-6 Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-6
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e3 e3 e0
湿度敏感等级 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大功率耗散 0.35 W 0.35 W 0.35 W
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN (315) TIN LEAD
最大正向电压 (VF) 0.33 V - 0.33 V
最大反向电流 100 µA - 100 µA
反向测试电压 25 V - 25 V
是否无铅 - 不含铅 含铅
厂商名称 - Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 - PLASTIC, ULTRAMINI-6 PLASTIC, ULTRAMINI-6
针数 - 6 6
配置 - SEPARATE, 3 ELEMENTS SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 - 3 3
端子数量 - 6 6
最大输出电流 - 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 NOT SPECIFIED
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 NOT SPECIFIED

 
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