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CMKBR-6FTRLEADFREE

产品描述Bridge Rectifier Diode, 0.14A, 60V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小490KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMKBR-6FTRLEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 0.14A, 60V V(RRM),

CMKBR-6FTRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.14 A
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
Base Number Matches1

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CMKBR-6F
SURFACE MOUNT
SILICON BRIDGE RECTIFIER
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKBR-6F is
a monolithic silicon full wave bridge rectifier, epoxy
molded in a SOT-363 surface mount package.
This device has been designed for use in computers
and peripheral equipment requiring high speed
switching, small size, and closely matched VF.
MARKING CODE: CBR3
SOT-363 CASE
FEATURES:
• Monolithic construction
• All diodes share closely matched
electrical characteristics
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
• Fast switching
• Very small size
SYMBOL
VRRM
IF
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
140
350
-65 to +150
357
UNITS
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
BVR
VF
CT
trr
VR=50V
IR=100µA
IF=20mA
VR=0, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA
5.0
1000
60
1.0
10
UNITS
nA
V
V
pF
ns
R4 (13-August 2010)

CMKBR-6FTRLEADFREE相似产品对比

CMKBR-6FTRLEADFREE CMKBR-6FLEADFREE CMKBR-6FTR CMKBR-6FBK
描述 Bridge Rectifier Diode, 0.14A, 60V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 0.14A, 60V V(RRM), Silicon, SOT-363, 6 PIN Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 0.14A, 60V V(RRM), Silicon, SOT-363, 6 PIN Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 0.14A, 60V V(RRM), Silicon, SOT-363, 6 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
元件数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.14 A 0.14 A 0.14 A 0.14 A
最大重复峰值反向电压 60 V 60 V 60 V 60 V
表面贴装 YES YES YES YES
最大正向电压 (VF) 1 V - 1 V 1 V
Base Number Matches 1 1 1 -
零件包装代码 - SOT-363 SOT-363 SOT-363
包装说明 - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
针数 - 6 6 6
最小击穿电压 - 60 V 60 V 60 V
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
JESD-30 代码 - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 - e3 e0 e0
相数 - 1 1 1
端子数量 - 6 6 6
最低工作温度 - -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 - 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 - MATTE TIN (315) TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 - GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL DUAL

 
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