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IDT8MP824L70S

产品描述SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS
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文件大小148KB,共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT8MP824L70S概述

SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS

IDT8MP824L70S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-T30
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量30
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码SIP30,.2
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0004 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

IDT8MP824L70S相似产品对比

IDT8MP824L70S IDT8MP824L100S IDT8MP824L85S
描述 SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 100 ns 85 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 30 30 30
字数 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0004 A 0.0004 A 0.0004 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 -
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