CY7C266-25LMB概述

OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, LCC-32

CY7C266-25LMB规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	QFJ
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	POWER SWITCHED PROM
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
长度	13.97 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
编程电压	12.5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	2.286 mm
最大待机电流	0.015 A
最大压摆率	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

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CY7C266-25LMB相似产品对比

	CY7C266-25LMB	CY7C266-25PC	CY7C266-45WC	CY7C266-45DMB	CY7C266-25WC
描述	OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, LCC-32	OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	UVPROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28	OTP ROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	UVPROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28
零件包装代码	QFJ	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28	0.600 INCH, CERDIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28
针数	32	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	25 ns	45 ns	45 ns	25 ns
其他特性	POWER SWITCHED PROM	POWER SWITCHED PROM	POWER SWITCHED PROM	POWER SWITCHED PROM	POWER SWITCHED PROM
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32	R-PDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28
长度	13.97 mm	37.211 mm	37.338 mm	37.338 mm	37.338 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	UVPROM	OTP ROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	QCCN	DIP	WDIP	DIP	WDIP
封装等效代码	LCC32,.45X.55	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.286 mm	5.08 mm	5.715 mm	5.715 mm	5.715 mm
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最大压摆率	0.14 mA	0.12 mA	0.1 mA	0.12 mA	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	1	1	-	-
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合	不符合
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	e0
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

CY7C266-25LMB

CY7C266-25LMB概述

CY7C266-25LMB规格参数

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