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BAT14-110R

产品描述Mixer Diode, Medium Barrier, KA Band, 500ohm Z(V) Max, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小14KB,共2页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BAT14-110R概述

Mixer Diode, Medium Barrier, KA Band, 500ohm Z(V) Max, Silicon

BAT14-110R规格参数

参数名称属性值
包装说明S-LQMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压4 V
配置RING, 4 ELEMENTS
最大二极管电容0.12 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带KA BAND
最大阻抗500 Ω
最小阻抗350 Ω
JESD-30 代码S-LQMW-F4
元件数量4
端子数量4
最大工作频率40 GHz
最小工作频率
最高工作温度150 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料GLASS
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
最小正切信号灵敏度48 dBm
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置QUAD
肖特基势垒类型MEDIUM BARRIER
Base Number Matches1

BAT14-110R相似产品对比

BAT14-110R BAT14-050R
描述 Mixer Diode, Medium Barrier, KA Band, 500ohm Z(V) Max, Silicon Mixer Diode, Medium Barrier, C Band, 500ohm Z(V) Max, Silicon
包装说明 S-LQMW-F4 S-LQMW-F4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最小击穿电压 4 V 4 V
配置 RING, 4 ELEMENTS RING, 4 ELEMENTS
最大二极管电容 0.12 pF 0.25 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE MIXER DIODE
频带 KA BAND C BAND
最大阻抗 500 Ω 500 Ω
最小阻抗 350 Ω 350 Ω
JESD-30 代码 S-LQMW-F4 S-LQMW-F4
元件数量 4 4
端子数量 4 4
最大工作频率 40 GHz 8 GHz
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 50 A 100 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
最小正切信号灵敏度 48 dBm 48 dBm
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 QUAD QUAD
肖特基势垒类型 MEDIUM BARRIER MEDIUM BARRIER
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