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BYD33GP-B

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小201KB,共4页
制造商FRONTIER
官网地址http://www.frontierusa.com/
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BYD33GP-B概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, Silicon,

BYD33GP-B规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流35 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1.3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

 
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