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BZW03-C8V2/33112

产品描述DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小213KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BZW03-C8V2/33112概述

DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZW03-C8V2/33112规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压7.7 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压12.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散1000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.75 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流2400 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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