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BZX85A30-T

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共6页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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BZX85A30-T概述

Zener Diode,

BZX85A30-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
标称参考电压30 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差1%
工作测试电流8 mA
Base Number Matches1

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SILICON ZENER DIODE
BZX85C2V7
THRU
BZX85C200
VOLTAGE
2.7 to 200
Volts POWER
1.3 Watts
FEATURES
*
Low profile package
*
B uilt-in strain relief
*
Low inductance
*
High temperature soldering : 260°C /10 seconds
*
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
1. 0(26. 0)MI N.
DO-41G
*
Glass package has Underwriters Laboratory Flammability Classification
0.030(0.75)
0.026(0.65)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-41G
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
guaranteed
• Polarity: Color band denotes positive end
• Mounting position:Any
• Weight: 0.012 ounce, 0.317 gram
1. 0(26. 0)MI N.
0. 177( 4. 5)
0 . 13 8 ( 3 . 5 )
0.107(2.7)
0.080(2.0)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
1.3*
-65 to +200
-65 to +200
Units
W
O
C
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
*Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Min.
Typ.
Max.
170
Uni ts
K/ W
R
JA
--
--
--
--
V
F
1.2
V
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperatur
.e
2019-02/09
REV:O
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