5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 700 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| BU808F1 | BU808DF1 | |
|---|---|---|
| 描述 | 5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | BUILT IN BIAS RESISTOR | BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 700 V | 700 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 | 25 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
ARM技术
电机控制
FPGA/CPLD
能源基础设施
实时操作系统RTOS
电源技术
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
