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BUX51-QR-A

产品描述3.5A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小18KB,共2页
制造商SEMELAB
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BUX51-QR-A概述

3.5A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39, TO-39, 3 PIN

BUX51-QR-A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3.5 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
Base Number Matches1

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BUX51
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm(inches)
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
NPN SILICON
TRANSISTOR
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
min.
0.89 max.
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
dia.
FEATURES
5.08 (0.200)
typ.
• FAST SWITCHING
• HIGH PULSE POWER
2.54
(0.100)
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
45˚
APPLICATIONS
• POWER SWITCHING CIRCUITS
Pin 3 = Collector
• MOTOR CONTROL
TO39
Pin 1 = Emitter
Pin 2 = Base
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
CBO
V
CEX
V
CEO
V
ER
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg,
T
j
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage (V
BE
= -1.5V)
Collector – Emitter Voltage
Collctor – Emitter Voltage R
BE
= 100
W
Emitter – Base Voltage
Collector Current
Peak Collector Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
£
25°C
Storage Temperature
Junction Temperature
300V
300V
200V
260V
7V
3.5A
5A
0.7A
10W
200°C
-65°C to +200°C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Prelim.10/99

 
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