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BU806/F1

产品描述8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小160KB,共6页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BU806/F1概述

8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN

BU806/F1规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BU806/F1相似产品对比

BU806/F1 BU807/F1
描述 8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN 8A, 150V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 200 V 150 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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