BD431,BD431 pdf中文资料,BD431引脚图,BD431电路-Datasheet-电子工程世界

BD431: 产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小51KB，共1页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数选型对比全文预览

BD431概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD431规格参数

参数名称	属性值
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	4 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz
Base Number Matches	1

BD431相似产品对比

	BD431	KSD180	KSC5035	KSC5036	KSC5034
描述	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-126	Power Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-126
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	4 A	3 A	0.3 A	0.15 A	0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)	40	50	40	40	40
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz	50 MHz	500 MHz	80 MHz	800 MHz
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-
集电极-发射极最大电压	80 V	40 V	-	200 V	60 V
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
厂商名称	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
最高工作温度	-	-	150 °C	150 °C	150 °C
最大功率耗散 (Abs)	-	-	8 W	7 W	10 W

推荐资源

FSMC扩展模式的疑问？: FSMC的时序规则，模式A、B、C、D，模式1、模式2等，扩展模式指的是A、B、C、D吗？对谁的扩展，模式1、模式2的扩展？请教，谢谢。...; lifengstar stm32/stm8

第三篇 GPIO的使用: 通过上一篇测评，我们知道RVB2601的代码编写是在YOC平台下。对硬件的操作主要集中在YOC平台里的CSI层。在CSI层里和GPIO相关的有两个：GPIO和GPIO_PIN。不太清楚这两个的具体区别，但是在头文件中提到这两个模块只能用其中的一个，如下图所示。通过对比两个源文件，可以看出GPIO_PIN模块中调用了很多GPIO模块里的内容，所以我觉得GPIO_PIN模块的功能更复杂一些吧。在例程里...; manhuami2007 玄铁RISC-V活动专区

求助，大神帮忙算一下这个，没学过这东西: 求助帮忙算一下，不胜感激...; ocean-cao 模拟电子

全国大学电子设计大赛全国一等奖部分资料: (*^__^*) 嘻嘻……我们一组获得了广东省一等奖，全国一等奖。所以就发来部分资料共享下，我们做的是声音引导系统...; kiss543440013 单片机

充电器的调试和测试流程: 2.《充电器的调试和测试流程》作者：不知名网友页数：6主要是给出了充电器的测试表格。...; tonytong 电源技术

STM32L011D3P6的工程模板: 谁有STM32L011D3P6这个芯片的工程模板发一个可以吗？谢谢了...; GuDuDeRener 嵌入式系统

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多