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BDV67AF

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共7页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BDV67AF概述

Transistor,

BDV67AF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)16 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)60 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

BDV67AF相似产品对比

BDV67AF BDV67BF
描述 Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 16 A 16 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 60 W 60 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 40 MHz
Base Number Matches 1 1
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