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BDV66C

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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BDV66C概述

Transistor

BDV66C规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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INCHANGE Semiconductor
isc
Product Specification
isc
Silicon PNP Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector
Current -I
C
= -
16A
·Collector-Emitter
Saturation Voltage-
: V
CE(sat)
= -2.0V(Max.)@ I
C
= -10A
·Complement
to Type BDV67/A/B/C
APPLICATIONS
·Designed
for audio output stages and general amplifier
and switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
℃)
SYMBOL
PARAMETER
BDV66
Collector-Base
Voltage
BDV66A
BDV66B
BDV66C
BDV66
Collector-Emitter
Voltage
BDV66A
BDV66B
BDV66C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDV66/A/B/C
VALUE
-80
-100
UNIT
V
CBO
V
-120
-140
-60
-80
V
-100
-120
-5
-16
-20
-0.5
175
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
CEO
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Current-Peak
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature Range
P
C
T
J
T
stg
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance, Junction to Case
MAX
0.625
UNIT
℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn

BDV66C相似产品对比

BDV66C BDV66B BDV66 BDV66A
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
Base Number Matches 1 1 1 1

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