5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 235 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 24 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | CECC |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 60 MHz |
VCEsat-Max | 1 V |
Base Number Matches | 1 |
BUY91 | BUX34 | BFX34 | BUY81 | BUY92 | |
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描述 | 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 | 5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 | 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 | 7.5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 | 7.5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A | 5 A | 7.5 A | 7.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 235 | 235 | 235 | 235 | 235 |
极性/信道类型 | PNP | NPN | NPN | NPN | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 24 W | 20 W | 0.87 W | 24 W | 30 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 60 MHz | 85 MHz | 70 MHz | 60 MHz | 60 MHz |
VCEsat-Max | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
参考标准 | CECC | - | CECC | - | CECC |
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