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BUL65B

产品描述Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小52KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BUL65B概述

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

BUL65B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1
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