Surface Mount Bridge Rectifier; VRRM Max (V): 1000V; IAV Max (A): 1A; VFM Max (V): 1.1V; @ IF (A): 1A; IFSM Max (A): 30A; IR Max (UA): 5uA; @VR (V): 1000V; TRR Max (NS): -; Package: TBS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TBS |
| 包装说明 | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最小击穿电压 | 1000 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 30 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 1 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| 类别 | |
| VRRM (V) max | 1000 |
| IF (A) max | 1 |
| VF (V) max | 1.1 |
| Condition1_IF (A) | 1 |
| IFSM (A) max | 30 |
| IR (uA) max | 5 |
| Condition2_VR (V) | 1000 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 是否无铅 | yes |
| 符合Reach | yes |
| 符合RoHS | yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | TBS |
| TB10S | TB8S | TB4S | TB6S | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Surface Mount Bridge Rectifier; VRRM Max (V): 1000V; IAV Max (A): 1A; VFM Max (V): 1.1V; @ IF (A): 1A; IFSM Max (A): 30A; IR Max (UA): 5uA; @VR (V): 1000V; TRR Max (NS): -; Package: TBS | Surface Mount Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 800V, 1A, 1.1V, 1A, 30A | Surface Mount Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 400V, 1A, 1.1V, 1A, 30A | Surface Mount Bridge Rectifiers, Diodes, Bridge, 600V, 1A, 1.1V, 1A, 30A |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | TBS | TBS | TBS | TBS |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最小击穿电压 | 1000 V | 800 V | 400 V | 600 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 30 A | 30 A | 30 A | 30 A |
| 元件数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 相数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 最大输出电流 | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 1000 V | 800 V | 400 V | 600 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| VRRM (V) max | 1000 | 800 | 400 | 600 |
| IF (A) max | 1 | 1 | 1 | 1 |
| VF (V) max | 1.1 | 1.1 | 1.1 | 1.1 |
| Condition1_IF (A) | 1 | 1 | 1 | 1 |
| IFSM (A) max | 30 | 30 | 30 | 30 |
| IR (uA) max | 5 | 5 | 5 | 5 |
| Condition2_VR (V) | 1000 | 800 | 400 | 600 |
| 是否无铅 | yes | yes | yes | yes |
| 符合Reach | yes | yes | yes | yes |
| 符合RoHS | yes | yes | yes | yes |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Package Outlines | TBS | TBS | TBS | TBS |
| 最高工作温度 | 150 | 150 | 150 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 | -55 | -55 | -55 |
| 厂商名称 | - | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics |
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