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BDX69B

产品描述Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小18KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BDX69B概述

Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

BDX69B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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LAB
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
26.6 max.
4.2
2. 5
SEME
BDX69A
BDX69A
BDX69B
BDX69C
NPN
DARLINGTON
POWER
TRANSISTOR
9.0 max.
39.5 max.
B
30.1
E
20.3 max.
1 .0
NPN Darlington transistors for audio
output stages and general amplifier
and switching applications.
16.9
10.9
12.8
PNP complements are:
BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C.
TO3 Package.
Case is collector
.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
J
T
STG
R
q
J-MB
Semelab plc.
BDX
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
69
Collector – Base Voltage (Open Emitter)
80V
Collector – Emitter Voltage (Open Base)
Emitter – Base Voltage (Open Collector)
Collector Current
Collector Current (Peak)
Base Current
Total Power Dissipation at T
MB
= 25°C
Maximum Junction Temperature
Storage Junction Temperature
Thermal Resistance, Junction to Mounting Base.
60V
5V
BDX
69A
100V
80V
5V
BDX
69B
120V
100V
5V
BDX
69C
140V
120V
5V
25A
40A
500mA
200W
200°C
–65 to 200°C
0.875°C / W
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
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