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BDT65F

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小110KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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BDT65F概述

Transistor

BDT65F规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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INCHANGE Semiconductor
isc
Product Specification
isc
Silicon NPN Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector
Current -I
C
=
12A
·High
DC Current Gain-h
FE
= 1000(Min)@ I
C
= 5A
·Complement
to Type BDT64F/AF/BF/CF
APPLICATIONS
·Designed
for audio output stages and general purpose
amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
℃)
SYMBOL
PARAMETER
BDT65F
Collector-Emitter
Voltage
BDT65AF
BDT65BF
BDT65CF
BDT65F
Collector-Emitter
Voltage
BDT65AF
BDT65BF
BDT65CF
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT65F/AF/BF/CF
VALUE
60
80
UNIT
V
CER
V
100
120
60
80
V
100
120
5
12
20
0.5
39
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
CEO
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Current-Peak
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature Range
P
C
T
J
T
stg
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance, Junction to Case
MAX
5.7
UNIT
℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn

BDT65F相似产品对比

BDT65F BDT65BF BDT65AF BDT65CF
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
Base Number Matches 1 1 1 1
厂商名称 - Inchange Semiconductor Inchange Semiconductor Inchange Semiconductor
Is Samacsys - N N N
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