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BU4522DF

产品描述10A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共2页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BU4522DF概述

10A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-199, 3 PIN

BU4522DF规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
制造商包装代码SOT199
Reach Compliance Codecompliant
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压800 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)4.2
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)45 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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