TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-896-1, 2 PIN, FET RF Power
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | PLASTIC, SOT-896-1, 2 PIN |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH EFFICIENCY |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDFM-F2 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
BLC6G10LS-200 | BLC6G10-200 | |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-896-1, 2 PIN, FET RF Power | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-895-1, 2 PIN, FET RF Power |
零件包装代码 | SOT | SOT |
包装说明 | PLASTIC, SOT-896-1, 2 PIN | PLASTIC, SOT-895-1, 2 PIN |
针数 | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH EFFICIENCY | HIGH EFFICIENCY |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDFM-F2 | R-PDFM-F2 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN | TIN |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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