Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, FBGA-77
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 8 X 10 MM, FBGA-77 |
针数 | 77 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最长访问时间 | 85 ns |
其他特性 | CELLULAR RAM IS ORGANIZED AS 4M X 16 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B77 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 10 mm |
内存密度 | 67108864 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 16 |
混合内存类型 | FLASH+SRAM |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 77 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -25 °C |
组织 | 4MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA77,8X10,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
电源 | 1.8,2.5/3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.000145 A |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 8 mm |
Base Number Matches | 1 |
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