电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT28C64464W30AFW-F70P85KBWT

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, FBGA-77
产品类别存储    存储   
文件大小239KB,共13页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
下载文档 详细参数 全文预览

MT28C64464W30AFW-F70P85KBWT概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, FBGA-77

MT28C64464W30AFW-F70P85KBWT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明8 X 10 MM, FBGA-77
针数77
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间85 ns
其他特性CELLULAR RAM IS ORGANIZED AS 4M X 16
JESD-30 代码R-PBGA-B77
JESD-609代码e0
长度10 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量77
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA77,8X10,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.8,2.5/3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000145 A
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
Base Number Matches1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 99  380  431  494  1389 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved