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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> ST333S08PDL1PBF
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ST333S08PDL1PBF

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 518A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小131KB，共9页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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ST333S08PDL1PBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 518A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE

ST333S08PDL1PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH SPEED
标称电路换相断开时间15 µs
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流600 mA
JEDEC-95代码TO-209AE
JESD-30 代码O-MUPM-H2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流518 A
重复峰值关态漏电流最大值50000 µA
断态重复峰值电压800 V
重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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