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ASI3486

产品描述Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI3486概述

Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

ASI3486规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容0.4 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大工作频率10 GHz
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
肖特基势垒类型ZERO BARRIER
Base Number Matches1

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ASI3486
ZERO BIAS SCHOTTKY DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI 3486
is a Silicon Schottky
Barrier Diode Designed for High
Sensitivity Zero Bias Detector
Applications up to 10 GHz.
PACKAGE STYLE 01
FEATURES INCLUDE:
Replacement for
HSCH3486
and
MA4E928
series
-56 dBm T
SS
Typical @ 10 GHz
Hermetic Glass Package
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
T
soldering
10 mA
2.0 V
300 mW @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +150
O
C
-65
O
C to +150
O
C
+230
O
C for 5 Seconds
ASI ORDER CODE: ASI30203
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
F
V
BR
C
T0
T
SS
γ
R
V
I
F
= 1.0 mA
I
R
= 200
µA
V
R
= 0 V
T
C
= 25
O
C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
0.8
TYPICAL MAXIMUM UNITS
185
225
mV
V
0.4
pF
dBm
mV/µ W
µ
8.0
K Ohms
f = 1.0 MHz
f = 10 GHz
f = 10 GHz
f = 10 GHz
-54
7.5
2.0
B
W
= 2.0 MHz
P
IN
= -40 dBm
P
IN
= -40 dBm
ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC.
7525 Ethel Avenue • North Hollywood, California 91605 • U.S.A.
Tel: (818) 982-1200 • (800) 423-2354 • Fax: (818) 765-3004 • email: sales@adsemi.com • web: www.adsemi.com
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