M95640RDW6P,M95640RDW6P pdf中文资料,M95640RDW6P引脚图,M95640RDW6P电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > M95640RDW6P

文档预览

M95640RDW6P: 产品描述32 Kbit and 64 Kbit serial SPI bus EEPROMs with high-speed clock; 文件大小240KB，共46页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

下载文档全文预览

M95640RDW6P概述

32 Kbit and 64 Kbit serial SPI bus EEPROMs with high-speed clock

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

M95320 M95320-W M95320-R

M95640 M95640-W M95640-R

32 Kbit and 64 Kbit serial SPI bus EEPROMs

with high-speed clock

Features

■

Compatible with SPI bus serial interface

(positive clock SPI modes)

Single supply voltage:

– 4.5 to 5.5 V for M95320 and M95640

– 2.5 to 5.5 V for M95320-W and M95640-W

– 1.8 to 5.5 V for M95320-R and M95640-R

10 MHz, 5 MHz or 2 MHz clock rates

5 ms write time

Status Register

Hardware protection of the Status Register

Byte and Page Write (up to 32 bytes)

Self-timed programming cycle

Adjustable size read-only EEPROM area

Enhanced ESD protection

More than 1 million Write cycles

More than 40-year data retention

Packages

– ECOPACK

(RoHS compliant)

UFDFPN8 (MB)

2 x 3 mm

TSSOP8 (DW)

169 mil width

SO8 (MN)

150 mil width

■

June 2008

Rev 10

1/46

www.st.com

Contents

M95320, M95640, M95320-x, M95640-x

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Signal description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7

2.8

Serial Data output (Q) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Serial Data input (D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Serial Clock (C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Chip Select (S) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Hold (HOLD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Write Protect (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Connecting to the SPI bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3.1

SPI modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Operating features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4.1

Supply voltage (V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4.1.1

4.1.2

4.1.3

4.1.4

Operating supply voltage V

CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Device reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Power-up conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Power-down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

4.2

4.3

4.4

Active Power and Standby Power modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

4.2.1

Hold condition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Data protection and protocol control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Memory organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Instructions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

6.1

6.2

6.3

Write Enable (WREN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Disable (WRDI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Read Status Register (RDSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

6.3.1

WIP bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2/46

List of tables

M95320, M95640, M95320-x, M95640-x

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Write-protected block size . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Instruction set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Status Register format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Protection modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address range bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Operating conditions (M95320 and M95640) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Operating conditions (M95320-W and M95640-W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Operating conditions (M95320-R and M95640-R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

AC measurement conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

DC characteristics (M95320 and M95640, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

DC characteristics (M95320-W and M95640-W, device grade 6). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

DC characteristics (M95320-W and M95640-W, device grade 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

DC characteristics (M95320-R and M95640-R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

AC characteristics (M95320 and M95640, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

AC characteristics (M95320-W and M95640-W, device grade 6). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

AC characteristics (M95320-W and M95640-W, device grade 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

AC characteristics (M95320-R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

AC characteristics (M95640-R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

SO8N – 8 lead plastic small outline, 150 mils body width, package mechanical data . . . . 38

TSSOP8 – 8 lead thin shrink small outline, package mechanical data. . . . . . . . . . . . . . . . 39

UFDFPN8 (MLP8) - 8-lead ultra thin fine pitch dual flat no lead, package

mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Available M95320x products (package, voltage range, temperature grade) . . . . . . . . . . . 42

Available M95640x products (package, voltage range, temperature grade) . . . . . . . . . . . 42

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

4/46

M95320, M95640, M95320-x, M95640-x

List of figures

Figure 1.

Figure 2.

Figure 3.

Figure 4.

Figure 5.

Figure 6.

Figure 7.

Figure 8.

Figure 9.

Figure 10.

Figure 11.

Figure 12.

Figure 13.

Figure 14.

Figure 15.

Figure 16.

Figure 17.

Figure 18.

Figure 19.

Figure 20.

Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

8 pin package connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Bus master and memory devices on the SPI bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

SPI modes supported . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Hold condition activation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Block diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Enable (WREN) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Disable (WRDI) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Read Status Register (RDSR) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Write Status Register (WRSR) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Read from Memory Array (READ) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Byte Write (WRITE) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Page Write (WRITE) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

AC measurement I/O waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Serial Input timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Hold timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Serial output timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

SO8N – 8 lead plastic small outline, 150 mils body width, package outline . . . . . . . . . . . . 38

TSSOP8 – 8 lead thin shrink small outline, package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

UFDFPN8 (MLP8) - 8-lead ultra thin fine pitch dual flat no lead, package

outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

5/46

推荐资源

MaixSense R329开发板开箱: 本次很有幸参加了全志R329芯片的AI开发板的测评活动，其实关于边缘端进行AI推理的芯片也有很多，除了本次测评使用的全志R329，还有嘉楠勘智的K210等，其设计均为SOC设计，芯片内置了神经网络加 ......; zzx1997 国产芯片交流

串口通讯死机现象！: 应用程序（evc开发）与plc正常同通讯的情况下，系统一切正常，当plc断电的时候，系统就死机了。当plc再加电时，系统自动恢复正常！我的平台（wince4.2），我已经确认与串口通讯有关！这种情况是 ......; ggggds 嵌入式系统

几个MSP430 单片机的几个典型应用: :)上传几个MSP430 单片机的几个典型应用，让初学者们好好学习借鉴！...; yyxiaoyan 微控制器 MCU

6410同时编解码问题: 下面函数实现从camera -> yuv -> encoder -> stream buffer -> decoder -> yuv buffer -> display void H264codecLoopBack(void) { //编码变量初始化(encoder init) int ret; ......; phb10223 嵌入式系统

[忙里偷闲学习ufun_13]ADC1、3模数转换，1秒钟取值一次: 源代码还是在前一节中下载。uarst1串口——调试小技巧 https://bbs.eeworld.com.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=497317&extra=page%3D1%26filter%3Dtypeid%26typeid%3D440 253299 25 ......; boming stm32/stm8

电子密码锁的设计与仿真: 急需。用proteus电子密码锁的设计与仿真,电路设计图和c语言程序，仿真过程和结果。多谢了，我可是菜鸟呀。我要给你薪水的，和我联系979152970...; qianlongwuyong 嵌入式系统

450Wh/kg！融捷集团发布第二代硫化物全固态电池

当固态电池行业仍在为电动汽车的“终极方案”进行漫长的技术马拉松时，部分企业已开始寻找更切近的商业化落地场景。近日，融捷集团旗下的融捷能源科技有限公司（以下简称“融捷能源”）正式推出其第二代全固态硫化物电池，能量密度达到450 Wh/kg。固态电池迈向实处，三赛道精准卡位 2025年，全球固态电池产业进入了一个关键的“去芜存菁”阶段。在经历多轮资本与产业的热潮起伏后，市场正...[详细]
深入剖析波峰焊：高效率与高质量的完美结合

波峰焊，是一种重要的电子组件焊接技术，用于生产各种电子设备，从家用电器，到计算机，到航空电子设备。该过程因其高效率和高质量的焊接结果而受到业界的广泛认可。本文将探讨波峰焊是什么，以及其工艺优点有哪些。波峰焊，又被称为波动焊接或浸泡焊接，主要用于通过孔（Through Hole）和表面安装（Surface Mount）电子组件的焊接。其过程包括将具有电子组件的印刷电路板（PCB）引导通过一个...[详细]
电动汽车的电磁辐射对人体健康有没有危害

电动汽车产生的电磁辐射对人体伤害大？近段时间，围绕电动汽车电磁辐射的问题引发广泛关注，然而，事实上，公众的认知大多是错误的，对电动汽车的电磁辐射缺乏正确的认知。9月30日，中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）副秘书长许艳华接受媒体专访，用真实的测试数据做出科学判断：电动汽车产生的电磁辐射对人体健康没有危害。我们生活的环境中，可以说电磁辐射无所不在，电动汽车也不例外，甚至传统的燃油车也有电...[详细]
同功率的电动汽车与燃油车相比谁的表现更好

同功率的电动机与内燃机，其扭矩大小是接近的。动力强需要高扭矩的支持，扭矩大小决定了一辆车加速快慢，也就是俗说的劲头大小。但是有时候同功率的电动机其扭矩并不会比内燃机高。例如比亚迪秦pro采用的电动机功率为110kw、最大扭矩为250Nm，而比亚迪秦pro采用的1.5T发动机，其最大功率为113kw，最大扭矩240牛米，可以说同功率的电机发动机扭矩也是接近的。又如大众1.4T发动机，最大功率...[详细]
盖世汽车供应链：透视中国汽车芯片产业

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]
天太机器人斩获全球首个万台人形机器人大单

8月20日，天太机器人有限公司与山东未来机器人技术有限公司、山东未来数据科技有限公司、港仔机器人集团等战略合作伙伴，共同签署全球首个具身智能人形机器人10000台订单。这不仅是全球人形机器人行业诞生以来数量最大的单笔订单，更意味着，曾被视作“科幻”的人形机器人，正式走出实验室、跨越概念阶段，作为一种可量产、可交付、可解决实际问题的生产力工具，浩浩荡荡地涌入现实世界的千行百业。天太机...[详细]
新能源车保值率如何破“腰斩”困局？

今年以来，价格战有增不减，新车此起彼伏，零公里二手车成为舆论焦点，行业内卷被官方提上休整日程……这些因素共同影响了新能源汽车今年上半年保值表现。根据中国汽车流通协会数据，2025年1至7月，三年车龄的新能源汽车保值率呈现缓慢下滑趋势。整体来看，插电式混合动力车型三年保值率略高于纯电动车型，今年7月，插电式混合动力车型三年保值率为44.1%，纯电动车型则为44.8%。相比之下，传统...[详细]
单片机stm32的5个时钟源的详细分析

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]
是德科技研究发现：人工智能发展速度已超越基础设施准备程度

随着AI在各个行业中加速发展，对数据中心基础设施的需求也在迅速增长是德科技与Heavy Reading合作发布了《超越瓶颈：2025年AI集群网络报告》，探讨运营商如何演进以适应人工智能（AI）工作负载的规模和速度。报告显示近九成（89%）电信和云服务提供商计划扩大或维持AI基础设施投资，其中前三大增长因素分别为云集成（51%）、更高速的GPU（49%）和高速网络升级（45%）。 ...[详细]
无人驾驶的基本框架你了解吗

将无人车理解为机器人并且使用机器人开发的思维处理无人车系统是目前工业界的共识，但也不乏一些单纯使用人工智能或者是智能体来完成无人驾驶的案例。其中基于深度学习的端到端无人驾驶和基于强化学习的驾驶智能体是目前的研究热点。无人驾驶系统的核心可以概述为三个部分：感知（Perception），规划（Planning）和控制（Control），这些部分的交互以及其与车辆硬件、其他车辆的交互可以用下图表...[详细]
基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium...[详细]
高精度电流传感器如何实现电压信号输出

随着科学技术的发展以及绿色节约循环发展方针的推进，精确控制，精准测量的需求越来越多。在电力行业，电流电压检测的技术要求越来越严格，精度要求越来越高，航智高精度电流传感器、电压传感器应运而生。航智传感器是基于磁通门技术的闭环传感器，具有高稳定度(温漂低、长期稳定性好)、高精度（可达10ppm）、高线性( 1ppm)等特点，可满足客户各种严苛需求，广泛应用于需要高精度测量电流电压的功率分析、高稳定电...[详细]
对电动汽车而言，给电池充电有什么技巧吗

充电是电动汽车离不开的一个话题，电池对于新能源汽车而言是核心的部件，对于电动汽车来说，给电池充多少电最好？根据现在的电动汽车采用的电池技术来说，充多少电根据用车场景去进行判断，对于电动汽车来说，在充电的时候也不一定非要充满，达到90%以上，或者能够满足你下一次出行需要的里程数就足够了。现在电动汽车采用锂离子电池，锂离子动力电池没有记忆功能，能够满足快速充电的需求，但从电池的构造上面而言，电...[详细]
SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。 ...[详细]
瑞萨电子全新超低功耗RA4C1 MCU具备高级安全性和专用外设集

瑞萨电子全新超低功耗RA4C1 MCU具备高级安全性和专用外设集，是表计应用及其他应用的理想选择全新产品满足DLMS Suite2表计应用安全法规，提供丰富的通信选项、电容式触摸界面，以及支持软件更新的双区闪存 2025 年 8 月 21 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出基于80MHz Arm ® Cortex ® -M33处理器的RA4C1微控制器...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多