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IDT7187S55CC

产品描述Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22
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文件大小388KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7187S55CC概述

Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22

IDT7187S55CC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间55 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量22
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间6
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