Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M95256WMN3P

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M95256WMN3P: 产品描述32 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, 80 ns, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小246KB，共44页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M95256WMN3P概述

32 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, 80 ns, PDSO8

32 × 8 总线串行电可擦除只读存储器, 80 ns, PDSO8

M95256WMN3P规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	60 ns
最大时钟频率 (fCLK)	5 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
内存密度	256 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	32 words
字数代码	32
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	SPI
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms

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M95256

M95256-W M95256-R

256 Kbit serial SPI bus EEPROM

with high-speed clock

Features

■

Compatible with SPI bus serial interface

(positive clock SPI modes)

Single supply voltage:

– 4.5 to 5.5 V for M95256

– 2.5 to 5.5 V for M95256-W

– 1.8 to 5.5 V for M95256-R

High speed

– 5 MHz clock rate, 5 ms write time

Status Register

Hardware protection of the Status Register

Byte and Page Write (up to 64 bytes)

Self-timed programming cycle

Adjustable size read-only EEPROM area

Enhanced ESD protection

More than 1 000 000 write cycles

More than 40-year data retention

Packages

– ECOPACK

(RoHS compliant)

TSSOP8 (DW)

169 mil width

SO8 (MW)

200 mil width

SO8 (MN)

150 mil width

■

WLCSP (CS)

July 2008

Rev 9

1/44

www.st.com

Contents

M95256, M95256-W, M95256-R

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Memory organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

Serial Data output (Q) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Serial Data input (D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Serial Clock (C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Chip Select (S) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Hold (HOLD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Write Protect (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Supply voltage (V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3.8.1

3.8.2

3.8.3

3.8.4

Operating supply voltage V

CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Power-up conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Device Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Power-down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Operating features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

4.1

4.2

4.3

Hold condition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Data protection and protocol control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Instructions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

5.1

5.2

5.3

Write Enable (WREN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Disable (WRDI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Status Register (RDSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

5.3.1

5.3.2

5.3.3

5.3.4

WIP bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

WEL bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

BP1, BP0 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

SRWD bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

5.4

5.5

Write Status Register (WRSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Read from Memory Array (READ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

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List of tables

M95256, M95256-W, M95256-R

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Write-protected block size . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Instruction set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Status Register format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Protection modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Operating conditions (M95256) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Operating conditions (M95256-W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Operating conditions (M95256-R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

AC measurement conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

DC characteristics (M95256, device grade 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

DC characteristics (M95256-W, device grade 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

DC characteristics (M95256-W, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

DC characteristics (M95256-R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

AC characteristics (M95256, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

AC characteristics (M95256-W, device grade 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

AC characteristics (M95256-W, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

AC characteristics (M95256-R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

SO8N – 8 lead plastic small outline, 150 mils body width, package data . . . . . . . . . . . . . . 36

SO8 wide – 8 lead plastic small outline, 200 mils body width, package

mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

TSSOP8 – 8 lead thin shrink small outline, package mechanical data. . . . . . . . . . . . . . . . 38

M24256-BR WLCSP, 0.5 mm pitch, package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Available M95256x products (package, voltage range, temperature grade) . . . . . . . . . . . 41

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

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M95256, M95256-W, M95256-R

List of figures

Figure 1.

Figure 2.

Figure 3.

Figure 4.

Figure 5.

Figure 6.

Figure 7.

Figure 8.

Figure 9.

Figure 10.

Figure 11.

Figure 12.

Figure 13.

Figure 14.

Figure 15.

Figure 16.

Figure 17.

Figure 18.

Figure 19.

Figure 20.

Figure 21.

Figure 22.

Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

SO and TSSOP connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

WLCSP connections (top view, marking side, with balls on the underside) . . . . . . . . . . . . 7

Block diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Hold condition activation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Write Enable (WREN) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Disable (WRDI) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Status Register (RDSR) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Status Register (WRSR) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Read from Memory Array (READ) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Byte Write (WRITE) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Page Write (WRITE) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Bus master and memory devices on the SPI bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

SPI modes supported . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

AC measurement I/O waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Serial input timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Hold timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Output timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

SO8N – 8 lead plastic small outline, 150 mils body width, package outline . . . . . . . . . . . . 36

SO8 wide – 8 lead plastic small outline, 200 mils body width, package outline . . . . . . . . . 37

TSSOP8 – 8 lead thin shrink small outline, package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

M24256-BR WLCSP, 0.5 mm pitch, package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

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8月22日，国家能源局发布最新数据，截至2025年7月底，我国电动汽车充电基础设施总数达到1669.6万个，同比增长53%。其中，公共充电设施为420.2万个，同比增长38%；私人充电设施为1249.4万个，同比增长58.8%。今年上半年，新能源汽车国内销量为587.8万辆，充电基础设施与新能源汽车的快速增长保持同步，桩车增量比为1:1.8，表明充电基础设施建设基本能够满足新能源汽车的快速发展需...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8 月 22 日消息，韩媒 Nate 当地时间 20 日报道称，三星电子正在向其当下最先进的 2nm 级制程工艺中导入 Hyper Cell 技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在 AI / HPC 芯片代工市场的竞争力。单元 (Cell) 是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的 6T 库、7.5T 库）。三星的 ...[详细]
电动汽车以什么样的充电方式才是最合适的

电动汽车续航里程越来越长，普及率越来越高。电动汽车充电有两种方式慢充和快充,哪一种方式最合适呢？慢充，就是采用交流220V或三相380V（普通家用照明电源或动力电源）使用输出功率为5kW左右的充电器给电动汽车充电。快充就是利用充电桩进行直流充电，插头接电动汽车的直流充电口进行充电，根据充电桩的功率可达30KW~60KW。电动汽车是以电动机动力行驶的汽车，而车载蓄电池是为电动机提供电能的核心...[详细]

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