M93C86-RBN3TG,M93C86-RBN3TG pdf中文资料,M93C86-RBN3TG引脚图,M93C86-RBN3TG电路-Datasheet-电子工程世界

M93C86-RBN3TG: 产品描述64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8; 产品类别存储; 文件大小306KB，共34页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M93C86-RBN3TG概述

64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

64 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	8
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
额定供电电压	5 V
最大时钟频率	2 MHz
加工封装描述	2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
表面贴装	Yes
端子形式	NO LEAD
端子间距	0.5000 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	DUAL
包装材料	UNSPECIFIED
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	16
组织	64 X 16
存储密度	1024 deg
操作模式	SYNCHRONOUS
位数	64 words
位数	64
备用存储器宽度	8
内存IC类型	MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM
串行并行	SERIAL
写周期最大TWC	5 ms

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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