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M93C76-RMB6T

产品描述128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小171KB,共31页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M93C76-RMB6T概述

128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

128 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M93C76-RMB6T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明2 X 3 MM, MLP-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
备用内存宽度8
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-XDSO-N8
JESD-609代码e0
长度3 mm
内存密度8192 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X16
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.6 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE
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