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M93C66-WBN7T

产品描述128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小171KB,共31页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M93C66-WBN7T概述

128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

128 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M93C66-WBN7T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Code_compli
备用内存宽度8
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
内存密度4096 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
端子数量8
字数256 words
字数代码256
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.002 mA
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
写保护SOFTWARE

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M93C86, M93C76, M93C66
M93C56, M93C46
16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide)
MICROWIRE® Serial Access EEPROM
FEATURES SUMMARY
Industry Standard MICROWIRE Bus
Single Supply Voltage:
– 4.5 to 5.5V for M93Cx6
– 2.5 to 5.5V for M93Cx6-W
– 1.8 to 5.5V for M93Cx6-R
Dual Organization: by Word (x16) or Byte (x8)
Programming Instructions that work on: Byte,
Word or Entire Memory
Self-timed Programming Cycle with Auto-
Erase: 5ms
Ready/Busy Signal During Programming
2MHz Clock Rate
Sequential Read Operation
Enhanced ESD/Latch-Up Behavior
More than 1 Million Erase/Write Cycles
More than 40 Year Data Retention
Packages
– ECOPACK® (RoHS compliant)
Figure 1. Packages
8
1
PDIP8 (BN)
8
1
SO8 (MN)
150 mil width
Table 1. Product List
Reference
Part
Number
M93C86
M93C86
M93C86-W
M93C86-R
M93C76
M93C76
M93C76-W
M93C76-R
M93C66
M93C66
M93C66-W
M93C66-R
UFDFPN8 (MB)
2x3mm² (MLP)
M93C46
M93C56
Reference
Part
Number
M93C56
M93C56-W
M93C56-R
M93C46
M93C46-W
M93C46-R
TSSOP8 (DS)
3x3mm² body size (MSOP)
TSSOP8 (DW)
169 mil width
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