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M93C66-RBN3TG

产品描述64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
产品类别存储   
文件大小306KB,共34页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M93C66-RBN3TG概述

64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

64 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

M93C66-RBN3TG规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大时钟频率2 MHz
加工封装描述2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
表面贴装Yes
端子形式NO LEAD
端子间距0.5000 mm
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料UNSPECIFIED
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度16
组织64 X 16
存储密度1024 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数64 words
位数64
备用存储器宽度8
内存IC类型MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM
串行并行SERIAL
写周期最大TWC5 ms

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M93C86, M93C76, M93C66
M93C56, M93C46
16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit (8-bit or 16-bit wide)
MICROWIRE® serial access EEPROM
Features
Industry standard MICROWIRE bus
Single supply voltage:
– 4.5 V to 5.5 V for M93Cx6
– 2.5 V to 5.5 V for M93Cx6-W
– 1.8 V to 5.5 V for M93Cx6-R
Dual organization: by word (x16) or byte (x8)
Programming instructions that work on: byte,
word or entire memory
Self-timed programming cycle with auto-erase:
5 ms
READY/BUSY signal during programming
2 MHz clock rate
Sequential read operation
Enhanced ESD/latch-up behavior
More than 1 million write cycles
More than 40 year data retention
Packages
– SO8, TSSOP8, UFDFPN8 packages:
RoHS-compliant and Halogen-free
(ECOPACK2®)
– PDIP8 package:
RoHS-compliant (ECOPACK1®)
TSSOP8 (DW)
169 mil width
SO8 (MN)
150 mil width
PDIP8 (BN)
UFDFPN8 (MB or MC)
2 x 3 mm (MLP)
Table 1.
Part
number
M93C46
Device summary
Memory
size
1 Kbit
Supply
voltage
Part
number
Memory
size
Supply
voltage
Part
number
Memory
size
16 Kbits
2.5 V to 5.5 V M93C66-W
4.5 V to 5.5 V M93C66-R
2 Kbits
2.5 V to 5.5 V M93C76-W
8 Kbits
1.8 V to 5.5 V M93C76-R
4 Kbits
2.5 V to 5.5 V M93C86-W
1.8 V to 5.5 V
2.5 V to 5.5 V
1.8 V to 5.5 V
2.5 V to 5.5 V
Supply
voltage
4.5 V to 5.5 V
4.5 V to 5.5 V M93C66
4.5 V to 5.5 V M93C86
M93C46-W
M93C56
M93C56-W
M93C56-R
October 2011
Doc ID 4997 Rev 12
1/34
www.st.com
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