M93C56-WMB6TG,M93C56-WMB6TG pdf中文资料,M93C56-WMB6TG引脚图,M93C56-WMB6TG电路-Datasheet-电子工程世界

M93C56-WMB6TG: 产品描述64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8; 产品类别存储存储; 文件大小306KB，共34页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M93C56-WMB6TG概述

64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

64 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
备用内存宽度	8
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-XDSO-N8
长度	3 mm
内存密度	2048 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128X16
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	VSON
封装等效代码	SOLCC8,.11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.6 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	SOFTWARE

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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