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M93C56-WBN3T

产品描述128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储   
文件大小171KB,共31页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M93C56-WBN3T概述

128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

128 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M93C56-WBN3T规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压1.8 V
额定供电电压5 V
最大时钟频率1 MHz
加工封装描述0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距1.27 mm
端子涂层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度16
组织128 X 16
存储密度2048 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数128 words
位数128
备用存储器宽度8
内存IC类型MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM
串行并行SERIAL
写周期最大TWC10 ms

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M93C86, M93C76, M93C66
M93C56, M93C46
16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide)
MICROWIRE® Serial Access EEPROM
FEATURES SUMMARY
Industry Standard MICROWIRE Bus
Single Supply Voltage:
– 4.5 to 5.5V for M93Cx6
– 2.5 to 5.5V for M93Cx6-W
– 1.8 to 5.5V for M93Cx6-R
Dual Organization: by Word (x16) or Byte (x8)
Programming Instructions that work on: Byte,
Word or Entire Memory
Self-timed Programming Cycle with Auto-
Erase: 5ms
Ready/Busy Signal During Programming
2MHz Clock Rate
Sequential Read Operation
Enhanced ESD/Latch-Up Behavior
More than 1 Million Erase/Write Cycles
More than 40 Year Data Retention
Packages
– ECOPACK® (RoHS compliant)
Figure 1. Packages
8
1
PDIP8 (BN)
8
1
SO8 (MN)
150 mil width
Table 1. Product List
Reference
Part
Number
M93C86
M93C86
M93C86-W
M93C86-R
M93C76
M93C76
M93C76-W
M93C76-R
M93C66
M93C66
M93C66-W
M93C66-R
UFDFPN8 (MB)
2x3mm² (MLP)
M93C46
M93C56
Reference
Part
Number
M93C56
M93C56-W
M93C56-R
M93C46
M93C46-W
M93C46-R
TSSOP8 (DS)
3x3mm² body size (MSOP)
TSSOP8 (DW)
169 mil width
October 2005
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