M93C56-RMB6T,M93C56-RMB6T pdf中文资料,M93C56-RMB6T引脚图,M93C56-RMB6T电路-Datasheet-电子工程世界

M93C56-RMB6T: 产品描述128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小171KB，共31页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M93C56-RMB6T概述

128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

128 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	2 X 3 MM, MLP-8
针数	8
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
备用内存宽度	8
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-XDSO-N8
JESD-609代码	e0
长度	3 mm
内存密度	2048 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128X16
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	VSON
封装等效代码	SOLCC8,.11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.6 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	SOFTWARE
Base Number Matches	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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