Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> S9013G

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S9013G: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小118KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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S9013G概述

Transistor

S9013G规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

S9013

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE

Complementary to S9012

Excellent h

linearity

MAXIMUM RATINGS

=25℃ unless otherwise noted

TO-92

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

500

625

150

-55-150

Units

℃

1 2 3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Symbol

V(BR)

CBO

V(BR)

CEO

V(BR)

EBO

CBO

CEO

EBO

FE(1)

DC current gain

FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

CE(sat)

BE(sat)

=1V, I

= 500mA

= 500mA, I

= 50mA

= 500mA, I

= 50mA

=6V,I

=20mA,f=30MHz

150

0.6

1.2

MHz

Test

conditions

MIN

0.1

400

TYP

MAX

UNIT

μA

= 100μA , I

= 1mA , I

= 100μA , I

= 40V ,

=20V ,

= 5V, I

=1V, I

=50mA

Transition frequency

CLASSIFICATION OF h

FE(1)

Rank

Range

64-91

78-112

96-135

112-166

144-202

190-300

300-400

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芯片业触底反弹有望走出阴霾

芯片业触底反弹在经济危机中受到重创的芯片业有望走出阴霾。7月29日，中国大陆最大芯片制造商中芯国际(00981.HK)公布了的最新一季财报，以及此前已公布财报的英特尔、TI等公司的数据都是这个判断的有力注脚，其中用于反映公司运营状况的几个核心指标都超出预期。中芯国际最新发布的2009年第二季度财报显示，中芯国际销售收入由第一季的1.465亿美元上升82.5%至...[详细]
半导体成长停滞？分析师提不同看法

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声称内存市场复苏的报告过于夸张

iSuppli公司维持对DRAM的负面评级，仍对NAND持谨慎看法在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。继第一季度全球DRAM与NAND闪存营业收入比去年第四季度下...[详细]
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东芝回应传闻：未决定是否增加芯片生产水平

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中国芯片设备商中微半导体获得了与竞争对手AppliedMaterial关于商业秘密诉讼纠纷的最终胜利。AppliedMaterials于2007年通过美国北加州联邦法院对中微提出诉讼，包括剽窃商业机密、违反合约、不正当竞争。被告包括中微几名高管，此前这几位高管在AppliedMaterials工作。...[详细]
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英国从事动态可重构逻辑技术的Akya公司日前发布了该公司的首款已授权技术，名为ART2。Akya公司表示，该公司采取了与此前的可重构逻辑技术完全不同的方法，成功地降低了涉及芯片量产方面的风险、芯片面积以及成本。这家私人持股的公司自2005年起一直致力于开发“ART”技术，并表示该技术将数据流电路和控制逻辑电路分隔开，从而简化了可重构芯片的设计与实现。该公司还表示，这一“突破性”的...[详细]

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