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R-11-075-P-M-O-GR

产品描述Photodiode Detector, 1100nm Min, 1650nm Max, Through Hole Mount, ROHS COMPLIANT, HEREMATICAL SEALED PACKAGE-3
产品类别无线/射频/通信    光纤   
文件大小195KB,共5页
制造商Source Photonics
标准  
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R-11-075-P-M-O-GR概述

Photodiode Detector, 1100nm Min, 1650nm Max, Through Hole Mount, ROHS COMPLIANT, HEREMATICAL SEALED PACKAGE-3

R-11-075-P-M-O-GR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codeunknown
主体高度28 mm
主体长度或直径6.3 mm
最大暗电源0.4 nA
光纤设备类型PHOTODIODE DETECTOR
光纤类型50/125, MMF
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
最大工作波长1650 nm
最小工作波长1100 nm
标称工作波长1310 nm
响应度0.85 A/W
表面贴装NO
传输类型DIGITAL
Base Number Matches1

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P/N: R-11-075X-X-XXX-X-XX
InGaAs PIN Photodiode Modules
Features
InGaAs/InP PIN Photodiode
High responsivity at 1310m and 1550nm
Low dark current
Fast pulse response
-40~85°C operating temperature
Hermetically sealed 3-pin metal case
Packaging
FC/ST/SC receptacle packaged
SM/MM fiber pigtailed with optional FC/ST/SC connector
Application
RoHS Compliant available
Absolute Maximum Ratings (Tc=25
°C
)
Parameter
Reverse Voltage
Forward Current
Reverse Current
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
R
I
F
I
R
T
opr
T
stg
Value
20
2
1
-40 ~ 85
-40 ~ 85
Unit
V
mA
mA
(All optical data refer to coupled 9/125
μ
m SM & 50/125
μ
m MM & 62.5/125
μ
m MM fiber)
Optical and Electrical Characteristics (Tc=25°C)
Parameter
Active Area (Dia)
Detection Range
Responsivity
Dark Current
Capacitance
Rise / Fall Time
Bandwidth
Note:
Symbol
Min.
-
1100
Typ.
75
1310
0.85
0.4
0.7
-
-
Max.
-
1650
-
0.8
0.9
0.3
-
Unit
μ
m
nm
A/W
nA
pF
ns
GHz
Notes
-
-
V
R
= 5V,
λ
= 1310nm
V
R
= 5V
V
R
= 5V
V
R
= 5V, 10%~90%
V
R
= 5V
R
I
dark
C
t
T
r /
T
f
BW
0.8
-
-
-
2
1. Pin assignment can be customized.
2. Specifications subject to change without notice.
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