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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> PDM41256SA12DB
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PDM41256SA12DB

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, CDIP28
产品类别存储    存储   
文件大小359KB，共8页
制造商Paradigm Technology Inc
下载文档 详细参数 全文预览

PDM41256SA12DB概述

Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, CDIP28

PDM41256SA12DB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.19 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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