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P2H7M440L

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB,共3页
制造商Kyocera(京瓷)
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P2H7M440L概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8

P2H7M440L规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

P2H7M440L相似产品对比

P2H7M440L P2H7M441L
描述 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 450V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8 MODULE-8
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 500 V 450 V
最大漏极电流 (ID) 35 A 35 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω 0.12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XUFM-X8 R-XUFM-X8
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A 100 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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