电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM-8832B-8

产品描述SRAM Module, 32KX8, 180ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小211KB,共7页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HM-8832B-8概述

SRAM Module, 32KX8, 180ns, CMOS

HM-8832B-8规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间180 ns
JESD-30 代码R-XDMA-T28
内存密度262144 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HM-8832B-8相似产品对比

HM-8832B-8
描述 SRAM Module, 32KX8, 180ns, CMOS
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C
最长访问时间 180 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-T28
内存密度 262144 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 28
字数 32768 words
字数代码 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 32KX8
输出特性 3-STATE
可输出 YES
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最小待机电流 2 V
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
Base Number Matches 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 872  631  2645  809  237  36  33  47  7  43 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved