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BU941SM

产品描述15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, SO-10
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小213KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BU941SM概述

15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, SO-10

BU941SM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G10
针数10
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PDSO-G10
元件数量1
端子数量10
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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BU941T/BU941TFI
BU941SM
HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER
NPN POWER DARLINGTON
PRELIMINARY DATA
s
s
s
s
VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY
HIGH OPERATING JUNCTION
TEMPERATURE
WIDE RANGE OF PACKAGES
POWER PACKAGE SPECIFICALLY
DESIGNED FOR SURFACE MOUNTING
(Power SO-10 )
1
2
3
1
2
3
APPLICATIONS
s
HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC
IGNITIONS
TO-220
ISOWATT220
10
1
Power SO-10
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
for
Power S O-10
Emitter: pins 1 - 5
Base: pins 6 - 10
Collector: tab
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
C ES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
B M
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
BU941T
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Base Peak Current
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
BU941TFI
500
400
5
15
30
1
5
150
-65 to 175
175
55
-65 to 175
175
150
-65 to 175
175
BU941SM
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/8
Dicember 1993
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